삼성전자, D1c D램 양산 승인 완료…HBM4 제품화 속도 가속

삼성전자가 6세대 고대역폭메모리(HBM) 제품군 중 하나인 ‘HBM4’의 핵심 기반이 되는 D1c D램 개발을 마치고, 양산 전환을 위한 승인 절차(PRA)를 완료하였습니다. 하반기 양산을 목표로 하는 이번 승인으로, 삼성전자는 HBM4 제품화 및 대량 생산 체제 구축에 본격 돌입할 것으로 전망됩니다.

 

삼성전자 D1cD램 개발 완료

 

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D1c D램, 10나노 초반 공정 적용한 신제품

D1c D램은 10나노 초반대 공정을 적용한 최신 제품입니다. 삼성전자는 DS부문장으로 전영현 부회장이 취임한 이후 전반적인 설계 개선과 수율 안정화 작업을 진행하였으며, 특히 건식 포토레지스트(PR) 등 신소재와 첨단 제조 기술을 적용하여 기존 세대 대비 성능과 생산 효율을 크게 개선하였습니다.

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양산 승인과 수율 안정화 전망

삼성전자는 이번 ‘Production Readiness Approval(PRA)’ 절차를 통해 D1c D램이 목표 성능과 일정 수준 이상의 수율을 확보하였음을 공식 인정받았습니다. 일반적으로 신제품 양산 초기에는 약 50% 수준의 수율을 기록하지만, 안정적인 생산 체제 구축을 위해 약 6개월간 수율을 80~90% 이상으로 끌어올리는 작업이 진행됩니다.

이를 위해 삼성전자는 소재·부품·장비(소부장) 협력사와의 긴밀한 협업 아래 D1c D램 양산 라인 전환을 위한 투자 및 시설 확장 계획도 추진하고 있습니다.

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HBM4 제품화, 하반기 매출 기대감 고조

HBM4는 D램을 수직으로 다층 적층해 대역폭과 처리 속도를 극대화한 차세대 메모리입니다. SK하이닉스가 D1b D램 기반의 HBM4를 준비 중인 가운데, 삼성전자는 D1c D램을 기반으로 한 HBM4 출시로 경쟁 우위를 확보하려는 전략을 세웠습니다.

최근 삼성전자는 HBM3E 12단 제품을 AMD에 공급하며 시장에서 기술력을 입증하였으며, 엔비디아 등 주요 GPU 업체와의 협력을 모색 중입니다. HBM4는 2026년부터 본격적으로 매출에 기여할 것으로 예상되며, 메모리 반도체 시장 내 삼성전자의 입지를 더욱 공고히 할 것으로 전망됩니다.

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투자자 관점에서 주목할 점

1. 기술력과 생산능력 강화: D1c D램 양산 승인으로 삼성전자는 차세대 HBM 시장 진입에 필요한 기술적 기반을 확보하였습니다. 향후 고성능 컴퓨팅과 AI, 데이터센터 수요 증가에 대응할 준비가 된 셈입니다.
2. 시장 점유율 확대 기대: HBM4 제품을 통해 글로벌 GPU 및 AI 반도체 업체와 협력을 확대함으로써, 삼성전자는 메모리 반도체 분야의 경쟁력을 높이고 수익성 개선을 도모할 수 있습니다.
3. 중장기 성장 모멘텀: 신공정 기반 D1c D램과 HBM4 양산은 삼성전자의 메모리 기술 주도권 유지 및 시장 확대에 기여할 전망이며, 주가 및 실적 개선에도 긍정적 신호로 작용할 것입니다.

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맺음말

삼성전자의 D1c D램 개발 완료 및 양산 승인 완료는 HBM4 제품 출시를 앞당기고, 고대역폭 메모리 시장에서 경쟁력을 강화하는 핵심 계기가 될 것입니다. 투자자들은 이번 신제품 양산 시작을 통해 삼성전자의 중장기 성장 가능성을 더욱 주목할 필요가 있어 보입니다. 새로운 돌파구 마련으로 다시 성장하는 삼성전자가 되길 기대해 봅니다.